HFGM200D12V3 Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A

• Didžiausia atbulinė įtampa — 1.2kV
• Kolektoriaus srovė — 200A
• Impulsinė kolektoriaus srovė — 400A
• Elektrinis montažas — varžtais
• Elektrinis montažas — FASTON jungtimi
• Korpusas — V3 62MM
• —
• Užtūros–emiterio įtampa — ±30V
• Gamintojas — HUAJING
• Puslaidininkinio modulio tipas — IGBT
• Pritaikymas — Inverter
• Pritaikymas — UPS
• Technologija — PT
• Puslaidininkinė struktūra — transistor/transistor
• Mechaninis montavimas — varžtas
• —
• —
• Topologija — IGBT half-bridge
• —

Grįžti į paiešką

Su pažymėtais filtrais pradėti naują paiešką