IR2010PBF IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W

• Galia — 1.6W
• Darbinė temperatūra — -40°C…125°C
• Maitinimo įtampa AC — 10V AC…20V AC
• Išėjimo srovė — -3A…3A
• Maitinimo įtampa DC — 10V DC…20V DC
• Išjungimo laikas — 65ns
• Įjungimo laikas — 95ns
• Įtampos klasė — 200V
• —
• —
• —
• Gamintojas — INFINEON TECHNOLOGIES
• —
• —
• Mikroschemos tipas — driver
• Korpusas — DIP14
• Integruotojo grandyno charakteristikos — dead time
• Integrinio grandyno rūšis — aukšto/žemo lygio
• Integruotojo grandyno charakteristikos — integrated bootstrap functionality
• Integruotojo grandyno charakteristikos — charge pump
• Integrinio grandyno rūšis — vartų tvarkyklė
• Topologija — MOSFET half-bridge
• —
• Kanalų skaičius — 2
• —
• Pakuotės rūšis — tūbelė
• Montavimas — skylinis (THT)
• —

Grįžti į paiešką

Su pažymėtais filtrais pradėti naują paiešką