IXBN42N170A Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B

• Išsklaidomoji galia — 313W
• Didžiausia atbulinė įtampa — 1.7kV
• Kolektoriaus srovė — 21A
• Impulsinė kolektoriaus srovė — 265A
• Elektrinis montažas — varžtais
• —
• Puslaidininkinių elementų savybės — aukšta įtampa
• —
• —
• Korpusas — SOT227B
• Puslaidininkinio modulio tipas — IGBT
• Užtūros–emiterio įtampa — ±20V
• —
• Mechaninis montavimas — varžtas
• Gamintojas — IXYS
• Technologija — BiMOSFET™
• Puslaidininkinė struktūra — single transistor

Grįžti į paiešką

Su pažymėtais filtrais pradėti naują paiešką