HFGM75D12V1 Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A; V1

• Ток коллектора — 75А
• Обратное напряжение макс. — 1.2кВ
• Импульсный ток коллектора — 200А
• Электрический монтаж — винт
• Электрический монтаж — Соединители FASTON
• Корпус — V1
• —
• Напряжение затвор - эмиттер — ±30V
• Производитель — HUAJING
• Тип полупроводникового модуля — IGBT
• Применение — Inverter
• Применение — для UPS
• Технология — PT
• —
• Конструкция диода — transistor/transistor
• Механический монтаж — винт
• —
• Топология — IGBT half-bridge
• —

Вернуться к поиску

Начать новый поиск с выбраными атрибутами