FF200R17KE4HOSA1 Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A

• Рассеиваемая мощность — 1.25кВт
• Обратное напряжение макс. — 1.7кВ
• Ток коллектора — 200А
• Импульсный ток коллектора — 400А
• Электрический монтаж — винт
• Корпус — AG-62MM-1
• Производитель — INFINEON TECHNOLOGIES
• —
• Тип полупроводникового модуля — IGBT
• Напряжение затвор - эмиттер — ±20V
• —
• Конструкция диода — transistor/transistor
• Механический монтаж — винт
• —
• —
• Топология — IGBT half-bridge
• —

Вернуться к поиску

Начать новый поиск с выбраными атрибутами