SEMIX151GD12E4S 27890200 Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge

• Ток коллектора — 150А
• Обратное напряжение макс. — 1.2кВ
• Импульсный ток коллектора — 450А
• Электрический монтаж — винт
• Топология — Трехфазный мост IGBT
• —
• —
• Корпус — SEMIX®13
• —
• Тип полупроводникового модуля — IGBT
• —
• —
• Применение — для UPS
• Напряжение затвор - эмиттер — ±20V
• Конструкция диода — transistor/transistor
• Механический монтаж — винт
• Электрический монтаж — Пресс-фит
• —
• Топология — термистор

Вернуться к поиску

Начать новый поиск с выбраными атрибутами