SEMIX202GB12VS 27890111 Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A

• Ток коллектора — 200А
• Обратное напряжение макс. — 1.2кВ
• Импульсный ток коллектора — 600А
• Электрический монтаж — винт
• —
• —
• Тип полупроводникового модуля — IGBT
• —
• Применение — для UPS
• Напряжение затвор - эмиттер — ±20V
• —
• Конструкция диода — transistor/transistor
• Механический монтаж — винт
• Электрический монтаж — Пресс-фит
• —
• Корпус — SEMIX2S
• Топология — термистор
• Топология — IGBT half-bridge
• —

Вернуться к поиску

Начать новый поиск с выбраными атрибутами