• Drain-source voltage — 1000
• Drain current — 37A
• Power dissipation — 890
• On-state resistance — 0.22
• Pulsed drain current — 110A
• Gate charge — 3.5E-7
• Atgriezeniskās atjaunošanās laiks — 3.0E-7
• Electrical mounting — screw
• Kind of channel — enhancement
• —
• —
• Case — SOT227B
• —
• —
• Technology — Polar™
• —
• —
• Type of semiconductor module — MOSFET transistor
• Polarisation — unipolar
• Mechanical mounting — screw
• Manufacturer — IXYS
• —
• Semiconductor structure — single transistor
• —
• Technology — HiPerFET™

Atgriezties pie meklēšanas

Sākt jaunu meklēšanu ar atzīmētajiem filtriem