Vietnē tiek izmantotas sīkdatnes, lai nodrošinātu tās pareizu darbību, uzlabotu pārlūkošanas pieredzi un mārketingu. Vairāk par izmantotajām sīkdatnēm un to atteikšanu – privātuma politikā

Tālruņi E-pasti Jaunumu abonēšana

Pieteikšanās:

E-pasts

Parole

Pieslēgties

Pieteikšanās | Aizmirsāt paroli? | Reģistrācija

Notiek meklēšana, lūdzu, uzgaidiet…

Kā pareizi izmantot meklētāju?

Grozā: 0 rinda 0.00 €

Sākums
Katalogs
Jaunas preces
Top preces
Izpārdošana
Citi katalogi
Par mums
Kontakti
Ātrā iegāde

Katalogs Pasūtāmās preces
Katalogs ELEKTRONIKAS DAĻAS UN KOMPONENTI AKTIVIZATORI ELEMENTI TRANSISTORI MOSFET tranzistora moduļi
Katalogs ELEKTRONIKAS DAĻAS UN KOMPONENTI AKTIVIZATORI ELEMENTI DISKRĒTĀS PUSLAIDĪNIEKU MODULI MOSFET transistoru moduļi

IXFN210N30X3 Module; single transistor; 300V; 210A; SOT227B; screw; Idm: 650A ssOuXwXUL4Lh4BsAh80JGeJadwuW0NH4RcYuE57F-h0

IXFN210N30X3 Module; single transistor; 300V; 210A; SOT227B; screw; Idm: 650A ssOuXwXUL4Lh4BsAh80JGeJadwuW0NH4RcYuE57F-h0

IXFN210N30X3 Module; single transistor; 300V; 210A; SOT227B; screw; Idm: 650A

Kods IXFN210N30X3

Ražotājs IXYS
Ražotāja kods IXFN210N30X3
Svars bruto 37.14g

E-veikala cena: 60,86 €

Min. pasūtījums: 1 Daudzums iepakojumā: 1

Daudzums

Pēdējā pasūtījuma datums: 2026-06-29 11:00:00
Paredzamais saņemšanas datums: 2026-07-01...2026-07-03

Specifikācija

Drain current — 210A
Drain-source voltage — 300
Power dissipation — 695
On-state resistance — 0.0046
Atgriezeniskās atjaunošanās laiks — 1.9E-7
Gate charge — 3.75E-7
Pulsed drain current — 650A
Electrical mounting — screw
Kind of channel — enhancement
Case — SOT227B
Technology — X3-Class
—
—
Type of semiconductor module — MOSFET transistor
Polarisation — unipolar
—
Mechanical mounting — screw
—
—
—
Manufacturer — IXYS
—
Semiconductor structure — single transistor
—
Technology — HiPerFET™

Veikala noteikumi Privātuma politika
© 1997–2026 UAB “Spikarė”. Visas tiesības aizsargātas.