Vietnē tiek izmantotas sīkdatnes, lai nodrošinātu tās pareizu darbību, uzlabotu pārlūkošanas pieredzi un mārketingu. Vairāk par izmantotajām sīkdatnēm un to atteikšanu – privātuma politikā

Tālruņi E-pasti Jaunumu abonēšana

Pieteikšanās:

E-pasts

Parole

Pieslēgties

Pieteikšanās | Aizmirsāt paroli? | Reģistrācija

Notiek meklēšana, lūdzu, uzgaidiet…

Kā pareizi izmantot meklētāju?

Grozā: 0 rinda 0.00 €

Sākums
Katalogs
Jaunas preces
Top preces
Izpārdošana
Citi katalogi
Par mums
Kontakti
Ātrā iegāde

Katalogs Pasūtāmās preces
Katalogs ELEKTRONIKAS DAĻAS UN KOMPONENTI AKTIVIZATORI ELEMENTI TRANSISTORI MOSFET tranzistora moduļi
Katalogs ELEKTRONIKAS DAĻAS UN KOMPONENTI AKTIVIZATORI ELEMENTI DISKRĒTĀS PUSLAIDĪNIEKU MODULI MOSFET transistoru moduļi

IXFN40N110P Module; single transistor; 1.1kV; 34A; SOT227B; screw; Idm: 100A ssOuXwXUL4Lh4BsAh80JGeJadwuW0NH4RcYuE57F-h0

IXFN40N110P Module; single transistor; 1.1kV; 34A; SOT227B; screw; Idm: 100A ssOuXwXUL4Lh4BsAh80JGeJadwuW0NH4RcYuE57F-h0

IXFN40N110P Module; single transistor; 1.1kV; 34A; SOT227B; screw; Idm: 100A

Kods IXFN40N110P

Ražotājs IXYS
Ražotāja kods IXFN40N110P
Svars bruto 35.80g

E-veikala cena: 34,67 €

Min. pasūtījums: 1 Daudzums iepakojumā: 1

Daudzums

Pēdējā pasūtījuma datums: 2026-04-20 11:00:00
Paredzamais saņemšanas datums: 2026-04-22...2026-04-23

Specifikācija

Drain-source voltage — 1100
Power dissipation — 890
Drain current — 34A
On-state resistance — 0.26
Atgriezeniskās atjaunošanās laiks — 3.0E-7
Gate charge — 3.1E-7
Pulsed drain current — 100A
Electrical mounting — screw
—
Kind of channel — enhancement
—
—
—
Case — SOT227B
—
Technology — Polar™
Type of semiconductor module — MOSFET transistor
Polarisation — unipolar
Mechanical mounting — screw
—
Manufacturer — IXYS
—
—
Semiconductor structure — single transistor
Technology — HiPerFET™

Veikala noteikumi Privātuma politika
© 1997–2026 UAB “Spikarė”. Visas tiesības aizsargātas.