Vietnē tiek izmantotas sīkdatnes, lai nodrošinātu tās pareizu darbību, uzlabotu pārlūkošanas pieredzi un mārketingu. Vairāk par izmantotajām sīkdatnēm un to atteikšanu – privātuma politikā

Tālruņi E-pasti Jaunumu abonēšana

Pieteikšanās:

E-pasts

Parole

Pieslēgties

Pieteikšanās | Aizmirsāt paroli? | Reģistrācija

Notiek meklēšana, lūdzu, uzgaidiet…

Kā pareizi izmantot meklētāju?

Grozā: 0 rinda 0.00 €

Sākums
Katalogs
Jaunas preces
Top preces
Izpārdošana
Citi katalogi
Par mums
Kontakti
Ātrā iegāde

Katalogs Pasūtāmās preces
Katalogs ELEKTRONIKAS DAĻAS UN KOMPONENTI AKTIVIZATORI ELEMENTI DISKRĒTĀS PUSLAIDĪNIEKU MODULI IGBT moduļi
Katalogs ELEKTRONIKAS DAĻAS UN KOMPONENTI AKTIVIZATORI ELEMENTI TRANSISTORI IGBT tranzistori un moduļi

FF200R12KE3HOSA1 Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A kXFZkkvJTeQa1_-T54wDlbOpD1rnNEp5AXH5IEYavbo

FF200R12KE3HOSA1 Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A kXFZkkvJTeQa1_-T54wDlbOpD1rnNEp5AXH5IEYavbo

FF200R12KE3HOSA1 Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A

Kods FF200R12KE3

Ražotājs INFINEON TECHNOLOGIES
Ražotāja kods FF200R12KE3HOSA1
Svars bruto 333.28g

E-veikala cena: 163,12 €

Min. pasūtījums: 1 Daudzums iepakojumā: 1

Daudzums

Pēdējā pasūtījuma datums: 2026-05-11 11:00:00
Paredzamais saņemšanas datums: 2026-05-13...2026-05-15

Specifikācija

Power dissipation — 1050
Max. off-state voltage — 1200
Collector current — 200A
Pulsed collector current — 400A
Electrical mounting — screw
Case — AG-62MM-1
Manufacturer — INFINEON TECHNOLOGIES
—
Type of semiconductor module — IGBT
Gate-emitter voltage — ±20V
Semiconductor structure — transistor/transistor
Mechanical mounting — screw
—
—
—
Topology — IGBT half-bridge
—

Veikala noteikumi Privātuma politika
© 1997–2026 UAB “Spikarė”. Visas tiesības aizsargātas.