Сайт использует куки для бесперебойной работы, улучшенного просмотра и маркетинга. Подробнее об использовании файлов cookie - в политике конфиденциальности

Телефоны е-мейл Подписка на бюллетень новостей

Вход:

Eл. почта

Пароль

Войти

Вход | Забыли пароль? | Регистрация

Загружаеться, пожалуйста подождите…

Как правильно использовать поиск?

В корзине: 0 стр. 0.00 €

Начало
Каталог
Новые товары
TOP товары
🌶SALE
Другие каталоги
О КОМПАНИИ
Контакты
Быстрая покупка

Каталог Заказанные товары
Каталог ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ АКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ДИСКРЕТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МОДУЛИ Модули IGBT
Каталог ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ АКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ТРАНЗИСТОРЫ Транзисторы IGBT

FF200R12KE3HOSA1 Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A kXFZkkvJTeQa1_-T54wDlbOpD1rnNEp5AXH5IEYavbo

FF200R12KE3HOSA1 Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A kXFZkkvJTeQa1_-T54wDlbOpD1rnNEp5AXH5IEYavbo

FF200R12KE3HOSA1 Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A

Код FF200R12KE3

Производитель INFINEON TECHNOLOGIES
ID код FF200R12KE3HOSA1
Вес 333.28g

Цена Eshop: 163,12 €

Минимум заказа: 1 Кратность: 1

Количество

Позднейшая дата заказа: 2026-05-11 11:00:00
Прогнозируемая дата получения: 2026-05-13...2026-05-15

Спецификация

Рассеиваемая мощность — 1.05кВт
Обратное напряжение макс. — 1.2кВ
Ток коллектора — 200А
Импульсный ток коллектора — 400А
Электрический монтаж — винт
Корпус — AG-62MM-1
Производитель — INFINEON TECHNOLOGIES
—
Тип полупроводникового модуля — IGBT
Напряжение затвор - эмиттер — ±20V
Конструкция диода — transistor/transistor
Механический монтаж — винт
—
—
—
Топология — IGBT half-bridge
—

Правила магазина Политика конфиденциальности
© 1997–2026 ЗАО "Spikarė". Все права защищены.