Vietnē tiek izmantotas sīkdatnes, lai nodrošinātu tās pareizu darbību, uzlabotu pārlūkošanas pieredzi un mārketingu. Vairāk par izmantotajām sīkdatnēm un to atteikšanu – privātuma politikā

Tālruņi E-pasti Jaunumu abonēšana

Pieteikšanās:

E-pasts

Parole

Pieslēgties

Pieteikšanās | Aizmirsāt paroli? | Reģistrācija

Notiek meklēšana, lūdzu, uzgaidiet…

Kā pareizi izmantot meklētāju?

Grozā: 0 rinda 0.00 €

Sākums
Katalogs
Jaunas preces
Top preces
Izpārdošana
Citi katalogi
Par mums
Kontakti
Ātrā iegāde

Katalogs Pasūtāmās preces
Katalogs ELEKTRONIKAS DAĻAS UN KOMPONENTI AKTIVIZATORI ELEMENTI TRANSISTORI IGBT tranzistori un moduļi
Katalogs ELEKTRONIKAS DAĻAS UN KOMPONENTI AKTIVIZATORI ELEMENTI DISKRĒTĀS PUSLAIDĪNIEKU MODULI IGBT moduļi

HFGM200D12V3 Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A vAVZg8YBVFZDiXiFohG_Lxpl9FqaM1YKgNN9wVd27a8

HFGM200D12V3 Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A vAVZg8YBVFZDiXiFohG_Lxpl9FqaM1YKgNN9wVd27a8

HFGM200D12V3 Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A

Kods HFGM200D12V3-HUA

Ražotājs HUAJING
Ražotāja kods HFGM200D12V3
Svars bruto 310.40g

E-veikala cena: 85,48 €

Min. pasūtījums: 1 Daudzums iepakojumā: 1

Daudzums

Pēdējā pasūtījuma datums: 2026-09-16 11:00:00
Paredzamais saņemšanas datums: 2026-09-18...2026-09-21

Specifikācija

Max. off-state voltage — 1200
Collector current — 200A
Pulsed collector current — 400A
Electrical mounting — screw
Electrical mounting — FASTON connectors
Case — V3 62MM
—
Gate-emitter voltage — ±30V
Manufacturer — HUAJING
Type of semiconductor module — IGBT
Application — Inverter
Application — for UPS
Technology — PT
Semiconductor structure — transistor/transistor
Mechanical mounting — screw
—
—
Topology — IGBT half-bridge
—

Veikala noteikumi Privātuma politika
© 1997–2026 UAB “Spikarė”. Visas tiesības aizsargātas.