HFGM200D12V3 Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A

• Обратное напряжение макс. — 1.2кВ
• Ток коллектора — 200А
• Импульсный ток коллектора — 400А
• Электрический монтаж — винт
• Электрический монтаж — Соединители FASTON
• Корпус — V3 62MM
• —
• Напряжение затвор - эмиттер — ±30V
• Производитель — HUAJING
• Тип полупроводникового модуля — IGBT
• Применение — Inverter
• Применение — для UPS
• Технология — PT
• Конструкция диода — transistor/transistor
• Механический монтаж — винт
• —
• —
• Топология — IGBT half-bridge
• —

Вернуться к поиску

Начать новый поиск с выбраными атрибутами