SKM100GB125DN Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 80A

• Didžiausia atbulinė įtampa — 1.2kV
• Kolektoriaus srovė — 80A
• Impulsinė kolektoriaus srovė — 150A
• Elektrinis montažas — varžtais
• Elektrinis montažas — FASTON jungtimi
• Pritaikymas — photovoltaics
• —
• Versija — D93
• —
• —
• Puslaidininkinio modulio tipas — IGBT
• Pritaikymas — Inverter
• Korpusas — SEMITRANS2N
• —
• Pritaikymas — UPS
• Užtūros–emiterio įtampa — ±20V
• Puslaidininkinė struktūra — transistor/transistor
• Mechaninis montavimas — varžtas
• —
• Topologija — IGBT half-bridge
• —

Grįžti į paiešką

Su pažymėtais filtrais pradėti naują paiešką