FP15R12W1T4_B3 Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A

• Išsklaidomoji galia — 130W
• Didžiausia atbulinė įtampa — 1.2kV
• Kolektoriaus srovė — 15A
• Impulsinė kolektoriaus srovė — 30A
• Topologija — IGBT trifazis tiltas
• —
• Puslaidininkinė struktūra — diode/transistor
• Gamintojas — INFINEON TECHNOLOGIES
• Elektrinis montažas — press-in PCB
• —
• Technologija — EasyPIM™ 1B
• Puslaidininkinio modulio tipas — IGBT
• Užtūros–emiterio įtampa — ±20V
• Topologija — trifazis diodų tiltelis
• Topologija — NTC termistorius
• Mechaninis montavimas — varžtas
• —
• —
• Korpusas — AG-EASY1B-1
• —

Grįžti į paiešką

Su pažymėtais filtrais pradėti naują paiešką