IXFN50N120SK Module; single transistor; 1.2kV; 48A; SOT227B; screw; SiC; 115nC

• Напряжение сток-исток — 1.2кВ
• Ток стока — 48А
• Сопротивление в открытом состоянии — 50мΩ
• Заряд затвора — 115нC
• Время обратного восстановления — 54нс
• Электрический монтаж — винт
• —
• Вид канала — обогащённый
• —
• Корпус — SOT227B
• —
• Характеристики полупроводниковых элементов — Клемма Кельвина
• Тип полупроводникового модуля — MOSFET transistor
• Полярность — униполярный
• —
• Механический монтаж — винт
• —
• Производитель — IXYS
• —
• Конструкция диода — single transistor
• Технология — SiC

Вернуться к поиску

Начать новый поиск с выбраными атрибутами