BGH75N120HF1 Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3

• Išsklaidomoji galia — 568W
• Kolektoriaus srovė — 75A
• Įtampa kolektorius-emiteris — 1.2kV
• Įjungimo laikas — 140ns
• Užtūros krūvis — 398nC
• Išjungimo laikas — 443ns
• Impulsinė kolektoriaus srovė — 200A
• —
• Technologija — Trench
• —
• Užtūros–emiterio įtampa — ±20V
• Technologija — Field Stop
• —
• Korpusas — TO247
• —
• Tranzistoriaus tipas — IGBT
• —
• Gamintojas — BASiC SEMICONDUCTOR
• Puslaidininkinių elementų savybės — integruotas antiparalelinis diodas
• —
• Technologija — SiC SBD
• Pakuotės rūšis — tūbelė
• Montavimas — skylinis (THT)
• —

Grįžti į paiešką

Su pažymėtais filtrais pradėti naują paiešką