BGH75N120HF1 Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3

• Рассеиваемая мощность — 568Вт
• Ток коллектора — 75А
• Напряжение коллектор-эмиттер — 1.2кВ
• Время включения — 140нс
• Заряд затвора — 398нC
• Время выключения — 443нс
• Импульсный ток коллектора — 200А
• —
• Технология — Trench
• —
• Напряжение затвор - эмиттер — ±20V
• Технология — Field Stop
• —
• Корпус — TO247
• —
• Тип транзистора — IGBT
• —
• Производитель — BASiC SEMICONDUCTOR
• Характеристики полупроводниковых элементов — встроенный антипараллельный диод
• —
• Технология — SiC SBD
• Вид упаковки — труба
• Монтаж — tехнология сквозных отверстий
• —

Вернуться к поиску

Начать новый поиск с выбраными атрибутами